CVD管式爐廣泛用于：真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結(jié)等場所。該系統(tǒng)技術(shù)成熟、質(zhì)量可靠;設(shè)備操作采用全數(shù)控觸摸界面，豐富的圖形界面提示，使得設(shè)備的操作異常簡單、方便;設(shè)備的各項技術(shù)參數(shù)更是一目了然，設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)盡在您的掌控之中。該系統(tǒng)是材料實驗室*的理想設(shè)備之一。
 

　　采用雙層殼體結(jié)構(gòu)，并帶有風(fēng)冷系統(tǒng)，使得殼體表面溫度小于55℃.內(nèi)內(nèi)爐膛表面涂有1750℃進(jìn)口氧化鋁涂層材料提高反射率及爐膛潔凈度 。真空密封系統(tǒng)有兩個不銹鋼密封法蘭，zui大漏氣率6 mtorr/min。采用雙旋機(jī)械泵，可以過濾真空泵工作時產(chǎn)生的油煙，減少泵油的損耗，保護(hù)環(huán)境和人體健康，過濾的zui小微粒直徑為0.3微米。極限真空度≤6x10-2 Pa or 4x10-4 torr
 

　　有四路供氣系統(tǒng) 可以用于控制一種到四種的氣體流經(jīng)真空密封的管式爐，這種氣體控制系統(tǒng)安裝在移動架上，可以放在上面，氣體控制系統(tǒng)的前面板上有控制并顯示氣體流量的調(diào)節(jié)閥。它可以用于CVD系統(tǒng)及退火爐，用來研究氣體環(huán)境對材料的影響。
 

　　應(yīng)用范圍
 

　　廣泛適用于高、中、低溫CVD工藝，例如：碳納米管的研制、晶體硅基板鍍膜、納米氧化鋅結(jié)構(gòu)的可控生長等等;也可適用于金屬材料的擴(kuò)展焊接以及真空或保護(hù)氣氛下熱處理. 產(chǎn)品特點(diǎn)： 高溫CVD系列管式爐專門設(shè)計用于高溫材料沉積之用。 硅鉬棒加熱、剛玉爐管爐膛, 可預(yù)抽真空,便于通入?yún)⒓臃磻?yīng)的氣體,進(jìn)口單回路智能溫度控制儀控制、溫區(qū)設(shè)計隔板結(jié)構(gòu)。具有溫度均勻、控制穩(wěn)定、溫區(qū)間溫度擾動小、升溫速度快、節(jié)能、使用溫度高、壽命長等特點(diǎn)，是理想的科研設(shè)備。